[发明专利]导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置在审
| 申请号： | 201910290826.9 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110161081A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;彭祖军;陈颖 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 李萌 |
| 地址： | 314000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置，该方法包括：将两端固定的待测导电薄膜放入一磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；改变所述待测导电薄膜受到的安培力，直至所述待测导电薄膜两端的电压发生突变；采集所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的磁感应强度及电流值，并根据采集到的所述磁感应强度及所述电流值得出所述待测导电薄膜的抗弯折性能。通过该测量方法，能够较为准确地对导电薄膜的抗弯折性能进行测量。 | ||
| 搜索关键词： | 导电薄膜 抗弯折性能 测量 测量装置 安培力 磁感应 采集 两端电压 两端固定 突变时刻 放入 磁场 突变 通电 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：将两端固定的待测导电薄膜放入一磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；改变所述待测导电薄膜受到的安培力，直至所述待测导电薄膜两端的电压发生突变；采集所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的磁感应强度及电流值，并根据采集到的所述磁感应强度及所述电流值得出所述待测导电薄膜的抗弯折性能。
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