[发明专利]一种制备磁性隧道结单元阵列的方法在审
| 申请号： | 201910291210.3 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111816764A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福;麻榆阳;陈峻;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，包括：提供表面抛光的带金属通孔Vx的CMOS基底；在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜和顶电极，或，在经过平坦化处理之后的基底上沉积底电极、磁性隧道结多层膜、顶电极和牺牲掩模；图形化定义磁性隧道结多层膜图案，对顶电极、磁性隧道结多层膜和底电极进行刻蚀，然后沉积一层绝缘覆盖层在磁性隧道结存储单元的周围；沉积一层平坦化移除停止层在绝缘覆盖层周围；沉积磁性隧道结电介质，对其进行平坦化处理，并使移除停止在移除停止层之上；沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；制作金属位线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 磁性 隧道 单元 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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