[发明专利]布线膜和布线膜的形成方法在审
| 申请号： | 201910291541.7 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110364538A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 岛村刚直;赤尾安彦;前野泰伸;增茂邦雄;泷本康幸;吉野晴彦 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆德骏;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。本发明提供一种设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。提供一种通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，所述方法包含：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 布线膜 初始层 合金 金属元素 金属 多层结构 成膜 基板 膜厚 基板上成膜 真空气氛 抽真空 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种布线膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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