[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，能够对形成有多个闪存芯片的晶片进行适当地分割。晶片的加工方法至少包含如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具(28)对分割预定线(14)进行切削而在第二存储层(10)形成切削槽(30)；改质层形成工序，将对于半导体基板(4)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于与分割预定线(14)对应的半导体基板(4)的内部而对半导体基板(4)照射激光光线(LB)，从而形成改质层(42)；分割工序，对半导体基板(4)的背面进行磨削，使裂纹(60)从改质层(42)生长而将晶片(2)分割成各个闪存芯片(12)；以及DAF分割工序，在已分割成各个闪存芯片(12)的晶片(2)的背面(2b)上配设DAF(62)，对支承DAF(62)的支承带(66)进行扩展而按照每个闪存芯片(12)对DAF(62)进行分割。

主权项

1.一种晶片的加工方法，将通过分割预定线划分出多个闪存芯片的晶片分割成各个闪存芯片，该闪存芯片是将第一存储层和第二存储层连结起来而构成的，该第一存储层是在半导体基板的正面上将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，该第二存储层是在该第一存储层的上表面上以绝缘层为结合层而将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具对分割预定线进行切削而在该第二存储层形成切削槽；改质层形成工序，将对于半导体基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的半导体基板的内部而对半导体基板照射激光光线，从而形成改质层；分割工序，对半导体基板的背面进行磨削而使裂纹从改质层生长，从而将晶片分割成各个闪存芯片；以及粘片膜分割工序，在已分割成各个闪存芯片的晶片的背面上配设粘片膜，对支承粘片膜的支承带进行扩展而按照每个闪存芯片对粘片膜进行分割。