[发明专利]调变激光二极管改良结构在审
申请号: | 201910294614.8 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN111817132A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 颜胜宏;内田俊一;林楷滨 | 申请(专利权)人: | 晶连股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/32;H01S5/06 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种调变激光二极管改良结构,包括一半导体基板及形成于半导体基板之上的一分布式回馈激光。分布式回馈激光分为一前端部及一后端部。分布式回馈激光由下至上依次包括一下半导体层、一主动层、一上半导体层、一前光栅、及一后光栅。前光栅形成于分布式回馈激光的前端部的下半导体层中或上半导体层中。后光栅形成于分布式回馈激光的后端部的下半导体层中或上半导体层中。前光栅的一光栅长度大于或等于后光栅的一光栅长度。前光栅的一光栅周期等于后光栅的一光栅周期。前光栅的一光栅责务周期大于或等于40%且小于或等于60%。后光栅的一光栅责务周期大于0%且小于40%或大于60%且小于100%。 | ||
搜索关键词: | 激光二极管 改良 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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