[发明专利]一种基于负载调整结构的低噪声比较器有效
申请号: | 201910294772.3 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110034763B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 徐代果;蒋和全;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;于晓权;李梁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03M1/14 | 分类号: | H03M1/14;H03K5/24 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 卢胜斌 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域,涉及一种基于负载调整结构的低噪声比较器。包括预放大级以及锁存器;在预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构;所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K,以及电容C;开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连,开关K的另一端和电容C的一端相连,电容C的另一端接地,输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。当比较器处于噪声敏感区域时,开关K导通,使得电容C接入预放大级输出端,从而降低预放大级带宽并抑制了噪声。当比较器处于噪声不敏感区域或者复位阶段时,开关K关断,使得电容C和预放大级的输出端断开,从而提高了比较器的速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 负载 调整 结构 噪声 比较 | ||
【主权项】:
1.一种基于负载调整结构的低噪声比较器,包括预放大级以及锁存器;其特征在于,在所述预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构;所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K,以及电容C;开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连,开关K的另一端和电容C的一端相连,电容C的另一端接地,预放大级的输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。
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