[发明专利]一种基于负载调整结构的低噪声比较器有效

专利信息
申请号: 201910294772.3 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN110034763B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 徐代果;蒋和全;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;于晓权;李梁 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H03M1/14 分类号: H03M1/14;H03K5/24
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 卢胜斌
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域,涉及一种基于负载调整结构的低噪声比较器。包括预放大级以及锁存器;在预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构;所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K,以及电容C;开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连,开关K的另一端和电容C的一端相连,电容C的另一端接地,输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。当比较器处于噪声敏感区域时,开关K导通,使得电容C接入预放大级输出端,从而降低预放大级带宽并抑制了噪声。当比较器处于噪声不敏感区域或者复位阶段时,开关K关断,使得电容C和预放大级的输出端断开,从而提高了比较器的速度。
搜索关键词: 一种 基于 负载 调整 结构 噪声 比较
【主权项】:
1.一种基于负载调整结构的低噪声比较器,包括预放大级以及锁存器;其特征在于,在所述预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构;所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K,以及电容C;开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连,开关K的另一端和电容C的一端相连,电容C的另一端接地,预放大级的输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。
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