[发明专利]封装基板及制作方法在审
申请号: | 201910295090.4 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110098154A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 龚国华;张浩 | 申请(专利权)人: | 深圳通感微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/373;H01L21/48;H01L33/64 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 林俭良;冯小梅 |
地址: | 518034 广东省深圳市福田区红*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装基板及制作方法,该封装基板包括:由导热金属制成的金属衬底;氮化铝过渡层,形成在所述金属衬底的第一表面上,所述氮化铝过渡层的主要成分包括铝和氮化铝的混合物;氮化铝层,形成在所述氮化铝过渡层远离所述金属衬底一侧的第一表面。通过这种方式,本发明能够为简化工艺、降低成本提供技术基础,能够降低导热金属基与氮化铝之间热导率的差异,且能够保证导热性能和介电性能。 | ||
搜索关键词: | 氮化铝过渡层 封装基板 金属衬 导热金属 第一表面 氮化铝 氮化铝层 导热性能 技术基础 介电性能 混合物 热导率 制作 保证 | ||
【主权项】:
1.一种封装基板,其特征在于,所述封装基板包括:由导热金属制成的金属衬底;氮化铝过渡层,形成在所述金属衬底的第一表面上,所述氮化铝过渡层的主要成分包括铝和氮化铝的混合物;氮化铝层,形成在所述氮化铝过渡层远离所述金属衬底一侧的第一表面上。
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