[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910295434.1 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816563A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区，且所述衬底上形成有鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；在所述器件密集区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第一沟槽，同时在所述器件稀疏区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一应力层；在所述伪栅结构的侧壁上形成牺牲侧墙；在所述第二沟槽的所述第一应力层上形成第二应力层；去除所述牺牲侧墙；利用在器件稀疏区进行二次外延生长应力层，平衡器件稀疏区和器件密集区的接触电阻，提高半导体器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910295434.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏用箱式变电站
- 下一篇：一种动态二维码生成模块及扫码用能管理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
