[发明专利]半导体装置

摘要

本发明得到不会增加制造工序，能够抑制恢复电流的增大，实现高耐压、高耐破坏量的半导体装置。半导体基板(6)具有单元区域、终端区域以及配线区域，该终端区域配置于单元区域的外周。IGBT设于单元区域。在配线区域，绝缘膜(16)设于半导体基板(6)之上。与IGBT的栅极连接的栅极电极(17、18)设于绝缘膜(16)之上。p阱层(15)在终端区域设于半导体基板(6)的表面。二极管设于配线区域。二极管具有：p基极层(8)，其设于半导体基板(6)的表面；以及n阴极层(21)，其设于半导体基板(6)的背面。p基极层(8)共通地设于配线区域和单元区域，与p阱层(15)相比杂质浓度低、深度浅。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，其具有单元区域、终端区域以及配线区域，该终端区域配置于所述单元区域的外周；IGBT，其设于所述单元区域；绝缘膜，其在所述配线区域设于所述半导体基板之上；栅极电极，其设于所述绝缘膜之上，与所述IGBT的栅极连接；p阱层，其在所述终端区域设于所述半导体基板的表面；以及二极管，其设于所述配线区域，所述二极管具有设于所述半导体基板的所述表面的p基极层、以及设于所述半导体基板的背面的n阴极层，所述p基极层共通地设于所述配线区域和所述单元区域，与所述p阱层相比杂质浓度低、深度浅。