[发明专利]高压隔离环

摘要

本发明公开了一种高压隔离环，高压隔离环包括由第一导电类型第一外延层组成的第一环形结构，第一环形结构所围区域内形成有高压电路，还包括由LDMOS组成的电平转换电路和由第二导电类型的环形掺杂区组成的第二环形结构；电平转换电路的漂移区由部分第一外延层组成，体区由形成于第一环形结构外，源区形成在体区中以及漏区形成在漂移区中且靠近第一环形结构的内侧边缘处；第二环形结构的俯视面结构包括一条底边和两条侧边，在侧边的靠近体区的第二侧两侧的第一外延层中形成有第一导电类型的掺杂区域段，能增加侧边的第二侧附近区域的耗尽，用以抵消侧边两侧的第一外延层的电压从漏到源逐渐减小所产生的影响。本发明能提高器件的耐压能力。

主权项

1.一种高压隔离环，其特征在于：高压隔离环包括由形成于第二导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型的第一外延层组成的第一环形结构；所述第一环形结构所围绕的区域内形成有高压电路，所述第一环形结构所围绕的区域外形成有低压电路，所述高压电路的耐压为600V以上，所述低压电路的耐压低于所述高压电路的耐压；所述高压隔离环中还包括由LDMOS组成的电平转换电路，所述电平转换电路的漂移区由部分所述第一环形结构的所述第一外延层组成，所述电平转换电路的体区由形成于所述第一环形结构外的第二导电类型的第一阱区组成，所述电平转换电路的体区和漂移区横向接触，所述电平转换电路的源区形成在体区中以及所述电平转换电路的漏区形成在漂移区中，所述电平转换电路的漏区形成在漂移区的靠近所述第一环形结构的内侧边缘处；所述高压隔离环还还包括由第二导电类型的环形掺杂区组成的第二环形结构，所述第二环形结构环绕在所述电平转换电路的漂移区周侧；所述第二环形结构和所述电平转换电路的体区形成一个闭环结构；所述第二环形结构的俯视面结构包括一条底边和两条侧边，所述底边位于所述电平转换电路的漏区的内侧并用于实现所述电平转换电路的漏区和所述高压电路之间的隔离；在沿所述电平转换电路的漏区到源区的方向上，两条所述侧边分别从所述底边处横向延伸到所述体区中，所述侧边的第一侧和对应的所述底边的一侧连接，所述侧边的第二侧连接所述体区，在所述侧边的第二侧的两侧的所述第一外延层中形成有第一导电类型的掺杂区域段，所述掺杂区域段用于增加对所述侧边的第二侧的耗尽并用以抵消所述侧边两侧的所述第一外延层的电压在从所述电平转换电路的漏区到源区方向上逐渐减小对所述侧边的第二侧的耗尽降低的影响，从而提高所述高压隔离环的耐压能力。