[发明专利]光电二极管制备方法及其光电二极管

摘要

本发明涉及一种光电二极管制备方法及其光电二极管，该方法包括：在外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；在外延层的上表面形成传输栅，传输栅的一侧与第一掺杂区连接；对外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区连接；在外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，传输栅的另一侧与输出区域连。在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，进而提高了光电二极管的光电转换效果。