[发明专利]半导体器件

摘要

本公开的实施例涉及一种半导体器件，包括：被提供在由晶面(100)构成的半导体衬底的主表面中的单元区域；嵌入半导体衬底中的场绝缘膜；以及围绕单元区域的环形p型阱区域。p型阱区域包括在<010>方向上延伸的第一区域、在<001>方向上延伸的第二区域、以及连接第一区域和第二区域并且在平面图中具有弧形形状的第三区域。在平面图中，场绝缘膜具有被提供在p型阱区域中并且沿着p型阱区域延伸的开口。开口包括在第一区域中在<010>方向上延伸的第一开口和在第二区域中在<001>方向上延伸的第二开口，并且第一开口和第二开口在第三区域中彼此分开。

主权项

1.一种半导体器件，包括：(a)由硅制成的半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和第一导电类型的第一半导体区域，所述主表面具有元件形成区域和围绕所述元件形成区域的外围区域，所述第一半导体区域位于与所述主表面相对的背表面和所述主表面之间；(b)绝缘栅双极晶体管(IGBT)元件，被形成在所述元件形成区域中的所述半导体衬底中；(c)阱区域，在平面图中具有封闭环形形状以便围绕所述元件形成区域的第二导电类型，所述阱区域被形成在所述外围区域中的所述第一半导体区域中；(d)多个场绝缘膜，被形成在多个第一沟槽中，所述多个第一沟槽被形成在所述外围区域中的所述第一半导体区域中；以及(e)开口，位于被形成在彼此相邻的所述第一沟槽中的所述场绝缘膜之间，其中所述IGBT元件包括：形成在第二沟槽中的栅极绝缘膜和栅电极，所述第二沟槽在所述第一半导体区域中、从所述半导体衬底的所述主表面朝向所述半导体衬底的所述背表面延伸；所述第一导电类型的第二半导体区域，与所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜接触，所述第二半导体区域被形成为与所述第一半导体区域中的所述半导体衬底的所述主表面接触；所述第二导电类型的第三半导体区域，与所述沟槽的所述侧壁上的所述栅极绝缘膜接触，所述第三半导体区域被提供在所述第二半导体区域下方；以及所述第二导电类型的第四半导体区域，被提供在所述第一半导体区域与所述背表面之间，其中所述半导体衬底在平面图中具有矩形形状，其中，在平面图中，所述阱区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿着所述半导体衬底的两个相对侧延伸，所述第二区域具有弧形形状、并且在所述半导体衬底的角部部分中将所述第一区域彼此连接，以及其中所述开口在所述第一区域中沿着所述半导体衬底的两个相对侧延伸，并且所述开口在所述第二区域中被分开。