[发明专利]一种静电放电保护结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910299308.3 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110071104B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护结构及其制作方法，该静电放电保护结构包括空闲区域、放电元件区域及衬底接触部，其中，放电元件区域环绕空闲区域的四周，放电元件区域中设有多个并联连接的NMOS晶体管，衬底接触部环绕放电元件区域四周。本发明的静电放电保护结构删除了中心衬底电阻最大的NMOS晶体管，只保留周围的NMOS晶体管，这些保留的NMOS晶体管的衬底电阻相差不多，可以实现静电放电保护结构中所有NMOS晶体管均匀导通放电，大大提高静电放电保护结构的整体保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：空闲区域；放电元件区域，环绕所述空闲区域的四周，所述放电元件区域中设有多个并联连接的NMOS晶体管；衬底接触部，环绕所述放电元件区域四周。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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