[发明专利]一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法有效
申请号: | 201910299708.4 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN111834216B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 贾海强;迭俊珲;陈弘;王彩玮;江洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;G03F7/16;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法,包括以下步骤:A.在基片上制备光刻胶图形;B.在所述步骤A得到的覆盖有光刻胶图形的基片上沉积金属薄膜,得到沉积有金属薄膜的基片;C.将所述步骤B得到的沉积有金属薄膜的基片放入剥离液中,剥离金属,得到带金属翘边的产品;D.将所述步骤C得到的产品的与空气接触的金属薄膜部分进行氧化,得到带金属翘边的氧化后的产品;E.将所述步骤D得到的带金属翘边的氧化后的产品放入腐蚀液中,以去除金属翘边。本发明的制备方法适用性强、成本低以及工艺过程简单,能够完全消除金属剥离工艺中的翘边,提高了剥离后金属薄膜的平整度。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 纳米 尺寸 金属 薄膜 图形 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造