[发明专利]一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法在审
| 申请号： | 201910300279.8 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110004414A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张甲;葛传洋;孙毅;王振龙;维帅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 孙莉莉 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提出一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法，所述设备包括气氛调节装置、低温冷却装置、气管、真空调节装置、循环水装置和蒸发沉积装置。该设备的设计可以显著缩短材料制备的准备和反应时间、降低了生产成本、提高了生产效率。受制于设备自身的尺寸，而不是本发明所提出的方法的局限性，本发明可在四英寸硅片上制备大面积单元素二维碲薄膜材料，亦可以在未被光刻胶覆盖的衬底制备出二维单元素薄膜，其尺寸、厚度和位置可控。 | ||
| 搜索关键词： | 单元素 制备 二维材料 制备设备 二维 低温冷却装置 气氛调节装置 真空调节装置 循环水装置 薄膜材料 材料制备 生产效率 位置可控 蒸发沉积 光刻胶 硅片 衬底 薄膜 气管 生产成本 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种大面积单元素二维材料制备设备，其特征在于：包括气氛调节装置(1)、低温冷却装置(2)、气管、真空调节装置、循环水装置和蒸发沉积装置；所述气管包括螺旋型铜管(3‑1)、第一接头(3‑2)和不锈钢管(3‑3)；所述螺旋型铜管(3‑1)的一端与所述气氛调节装置(1)连接，另一端与第一接头(3‑2)连接，所述螺旋型铜管(3‑1)放置于低温冷却装置(2)中，所述第一接头(3‑2)与不锈钢管(3‑3)连接，所述不锈钢管(3‑3)与蒸发沉积装置连接，所述真空调节装置与蒸发沉积装置相连，所述循环水装置单独设置，分别与真空调节装置和蒸发沉积装置相连。
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