[发明专利]一种材料光学跃迁分析方法及系统有效
| 申请号： | 201910301515.8 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110118767B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 谷洪刚;宋宝坤;刘世元;方明胜;陈修国;江浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/66 | 分类号： | G01N21/66;G01N21/01 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 张彩锦;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于材料测量表征研究领域，并具体公开了一种材料光学跃迁分析方法及系统，其首先确定待分析材料的介电函数谱，并计算介电函数谱关于激发光能量的二阶导数谱，对二阶导数谱进行临界点分析以获取材料的临界点分析结果图；然后绘制材料的能带结构图和分态密度图，根据材料的能带结构图绘制导带与价带间的能量差值图；再根据材料的临界点分析结果图及导带与价带间的能量差值图确定临界点的空间位置及对应的导带与价带；最后在能带结构图中标识出导带与价带，并在分态密度图中确定参与临界点形成的粒子类型，以此完成材料光学跃迁分析。本发明实现了对材料光学跃迁特征的物理层面的分析解释，具有操作流程系统可靠，分析结果准确可信等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 光学 跃迁 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种材料光学跃迁分析方法，其特征在于，包括如下步骤：S1确定待分析材料的介电函数谱，并计算介电函数谱关于激发光能量的二阶导数谱，对二阶导数谱进行临界点拟合分析以获取材料的临界点分析结果图；S2绘制材料的能带结构图和分态密度图，根据材料的能带结构图绘制导带与价带间的能量差值图；S3根据材料的临界点分析结果图及导带与价带间的能量差值图确定临界点的空间位置及对应的导带与价带；S4在能带结构图中标识出导带与价带，根据已标识出能带和价带的能带结构图在分态密度图中确定参与临界点形成的粒子类型，以此完成材料光学跃迁分析。
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