[发明专利]一种使用闪存模拟具有原子操作特性的EEPROM的方法在审

专利信息
申请号: 201910302177.X 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110045927A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 夏成君 申请(专利权)人: 华大半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 李镝的
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种使用闪存模拟具有原子操作特性的EEPROM的方法,包括下列步骤:提供闪存的一个或多个页面作为第一页面;提供闪存的一个或多个页面作为第二页面;将第一页面确定为工作页面;对工作页面进行读操作和/或写操作,其中所述读操作和/或写操作被设置为使得每次读取的数据均为成功写入的数据;在工作页面写满以后格式化第二页面;以及将第二页面确定为工作页面。本发明还涉及一种存储系统。通过本发明,可以较好地模拟EEPROM的存储操作,从而降低产品的硬件成本和软件成本。
搜索关键词: 工作页面 闪存 页面 多个页面 页面确定 原子操作 读操作 写操作 读取 格式化 存储操作 存储系统 软件成本 硬件成本 写入 成功
【主权项】:
1.一种使用闪存模拟具有原子操作特性的EEPROM的方法,包括下列步骤:提供闪存的一个或多个页面作为第一页面;提供闪存的一个或多个页面作为第二页面;将第一页面确定为工作页面;对工作页面进行读操作和/或写操作,其中所述读操作和/或写操作被设置为使得每次读取的数据均为成功写入的数据;在工作页面写满以后格式化第二页面;以及将第二页面确定为工作页面。
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