[发明专利]一种互连线及其形成方法在审
| 申请号： | 201910302614.8 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111834288A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;苏博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种互连线及其形成方法，包括以下步骤：提供基底，在基底上形成第一通孔，在第一通孔内填充钌；在至少一个第一通孔的一侧形成第二通孔，第二通孔和第一通孔连通，且第二通孔内填充铜。具体的，在第二通孔内填充铜形成铜金属线，在第一通孔内填充钌形成钌金属线。第一基底上形成的钌金属互连线与第二基底上形成的铜金属线形成复合金属互连线。在本发明中，钌的电阻率较低，而且钌的抗氧化性较强，可抑制铜发生电迁移的几率，避免铜导线的电阻增大，影响互连线的性能。并且，采用钌与铜形成的互连线结构，不用再额外设置防扩散层，同时可以减小半导体器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910302614.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：共模差模一体化电感
- 下一篇：一种车灯用远/近光灯结构、远近光一体照明装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
