[发明专利]一种多重掩膜图案的形成方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种多重掩膜图案的形成方法，包括对多重掩膜图案布图进行分析，以确定多重掩膜图案布图中不满足掩膜图案布图的布图设计要求的热点图案；然后对热点图案进行调整，以使调整后的多重掩膜图案布图满足调整布图设计要求。相比于现有技术中在加工过程中发现有不满足多重掩膜图案布图的布图设计要求的热点图案之后，将布图返回设计厂商重新布图设计的操作方法，本方法先找出冲突，然后对冲突的热点图案进行局部处理以解决冲突，然后再将最终确定的多重掩膜图案布图用于加工，有效地减少了中间环节和周转时间，提高了工作效率。本发明还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。