[发明专利]三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置及方法有效
申请号: | 201910302724.4 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN109884862B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 李伟;陆聪;万浩;郭芳芳;高志虎;冯耀斌;卢绍祥 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿方法,该方法包括:获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值,根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型;根据所述区域套刻偏差模型补偿光罩图案;根据经补偿的光罩图案对待曝光的晶圆的裸晶进行曝光。与现有技术相比,本发明提供一种套刻补偿方法及三维存储器,根据大量的扫描电镜切片数据建立起局部应力引起套刻偏差的规律性的区域套刻偏差模型,根据该模型对当前层的光罩图案进行补偿,从而降低裸晶整体范围内的套刻偏差,解决因套刻偏差引起的良率损失问题。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 曝光 系统 中套 偏差 补偿 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿方法,该方法包括:获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值,根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型;根据所述区域套刻偏差模型补偿光罩图案;根据经补偿的光罩图案对待曝光的晶圆的裸晶进行曝光。
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