[发明专利]一种横向肖特基栅双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910304385.3 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110034183B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;孙李诚;王彦东;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/735;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种横向肖特基栅双极晶体管(LSGBT)及其制作方法。该LSGBT器件将LIGBT结构的源漏区与MESFET结构的肖特基栅相结合，使用肖特基栅代替绝缘栅，同时其栅结构与常规MESFET的沟槽栅结构类似，而其余部分则与常规LIGBT结构类似。相比于LIGBT，LSGBT器件结构中不存在寄生的NPN晶体管结构，有利于消除闩锁效应，增强了器件的稳定性；栅控方式由绝缘栅变为肖特基栅，不仅可以降低栅极工艺的复杂度，解决宽带隙半导体材料的氧化问题，还可以保留电压控制器件的优点，即具有高输入阻抗。该LSGBT器件尤其适用于低压大电流领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 肖特基栅 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向肖特基栅双极晶体管，包括：P型衬底(801)；在P型衬底(801)上表面形成的N型外延层(802)；在N型外延层(802)上部的右端区域形成的N型缓冲区(106)以及在N型缓冲区(106)上部形成的P型漏区(105)；在N型外延层(802)上部的左端区域形成的N型源区(104)；源极(101)，位于N型源区(104)的上表面；漏极(102)，位于P型漏区(105)的上表面；其特征在于：在N型外延层(802)上部的中央区域形成栅槽，栅极(103)位于栅槽底部，栅长为0.5～1微米，栅极(103)与源极(101)、漏极(102)的距离分别为0.2～0.5微米和0.6～0.9微米；所述栅槽的深度为1～3微米，根据源漏饱和电流确定。
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