[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：NMOS器件，包括第一鳍片，所述第一鳍片包括硅，所述第一鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧；PMOS器件，包括第二鳍片，所述第二鳍片包括硅，所述第二鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧，其中所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧面对所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧；第一电介质部分，包括硅和氧，所述第一电介质部分直接位于所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧上；第二电介质部分，包括硅和氧，所述第二电介质部分直接位于所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧上；绝缘层，包括氮，所述绝缘层位于所述第一电介质部分上方并且位于所述第二电介质部分上方，并且所述绝缘层在所述第一电介质部分和所述第二电介质部分上方是连续的；电介质填充材料，直接位于所述绝缘层上方；第一栅电极，在所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第一栅电极在所述电介质填充材料的第一部分之上；以及第二栅电极，在所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第二栅电极在所述电介质填充材料的第二部分之上。