[发明专利]一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺、T形栅和晶体管在审
| 申请号： | 201910305250.9 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN109979991A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 毛江敏;彭挺;陈俊奇;郭盼盼 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭;徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于I‑line和EBL制作T形栅的光刻工艺、T形栅和晶体管，工艺包括以下步骤：在半导体基板上进行涂布E‑beam光刻胶进行烘烤、EBL光刻、显影、清洗形成下层根部腔体；对下层根部腔体光刻胶层进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的下层根部腔体；使用O2清除下层根部腔体的底部残渣；在下层根部腔体和半导体基板表面涂覆隔离试剂形成隔离层；在下层根部腔体表面进行涂布上层光刻胶并进行烘烤、I‑line光刻机曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；使用O2清除下层根部腔体的底部残渣和半导体基板上方的隔离层。本发明节省电子束扫描曝光机光刻所需要的时间，并隔离上层头部光刻胶中大量的溶剂对下层的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 下层 腔体 光刻胶 烘烤 半导体基板 光刻工艺 上层 隔离层 晶体管 光刻 显影 清洗 半导体基板表面 隔离 电子束扫描 光刻胶层 腔体表面 头部腔体 圆弧边角 光刻机 曝光机 热变形 溶剂 涂覆 制作 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种基于I‑line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：包括以下步骤：在半导体基板上进行涂布E‑beam光刻胶进行烘烤、EBL光刻、显影、清洗形成下层根部腔体；对下层根部腔体光刻胶层进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的下层根部腔体；使用O2清除下层根部腔体的底部残渣；在下层根部腔体和半导体基板表面涂覆隔离试剂形成隔离层；在下层根部腔体表面进行涂布上层光刻胶并进行烘烤、I‑line光刻机曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；使用O2清除下层根部腔体的底部残渣和半导体基板上方的隔离层；用酸刻蚀掉下层根部腔体下的半导体基板，以在半导体基板表面形成T形栅的下层根部图形；沉积栅极金属层；用试剂去除半导体基板表面所有的光胶得到T形栅。
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