[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910305472.0 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110137295B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 申请(专利权)人: 浙江大学;上海空间电源研究所
主分类号: H01L31/0725 分类号: H01L31/0725;H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池,自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层,此外还设置有正面电极;所述的多结半导体衬底层包括多结电池,并在多结电池顶部设置有隧穿层,镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上,量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化,同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大,可以吸收更短的太阳光波长,进一步提升多结太阳能电池效率。本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高,工艺较简单,有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 镓铟氮 铝镓砷多结异质 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池,其特征在于:自底而上依次是背电极层(1)、多结半导体衬底层(2)、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层(3)、量子点层(5),在二硫化钼层/镓铟氮或铝镓砷层(3)上还设置有正面电极(4);所述的多结半导体衬底层(2)包括多结电池,并在多结电池顶部设置有隧穿层,二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层(3)中镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上并与隧穿层直接接触,量子点层设置于二硫化钼上且二者直接接触。
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