[发明专利]一种石墨烯/InGaN多结异质太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯/InGaN多结异质太阳能电池，该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、Ge电池层、第一隧穿结、GaAs电池层、第二隧穿结、石墨烯/In_xGa_1‑xN层、量子点层、减反层和正面电极。本发明的多结异质太阳能电池通过调节In_xGa_1‑xN中x的值，InGaN的禁带宽度可在3.4eV(GaN)到0.7eV(InN)之间连续变化，可有效控制其吸收光谱范围。同时，石墨烯与In_xGa_1‑xN形成异质结不需要晶格匹配，可直接转移。除此之外，石墨烯与In_xGa_1‑xN形成的异质结拥有较高的开路电压，也使石墨烯/In_xGa_1‑xN太阳能电池具有更高的光电转换效率。本发明阐述的基于石墨烯/In_xGa_1‑xN的多结异质太阳能电池性价比高、工艺简单、易于商业化推广。

主权项

1.一种石墨烯/In_xGa_1‑xN多结异质太阳能电池，其特征在于，自下而上依次有背面电极(1)、Ge电池层(2)、第一隧穿结(3)、GaAs电池层(4)、第二隧穿结(5)、石墨烯/In_xGa_1‑xN层(6)、量子点层(7)、减反层(8)和正面电极(9)；所述的石墨烯/In_xGa_1‑xN层(6)是通过湿法转移至第二隧穿结上并使得In_xGa_1‑xN与第二隧穿结直接接触。