[发明专利]一种航天器使用SRAM型FPGA双口RAM抗单粒子翻转加固装置有效

专利信息
申请号: 201910305781.8 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110111826B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 冯国平;徐勇;周东;曾连连;庞波;韩庆龙;陶涛;张溢;牛跃华;李柯;汪路元;禹霁阳 申请(专利权)人: 北京空间飞行器总体设计部
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 徐晓艳
地址: 100094 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种航天器使用SRAM型FPGA双口RAM抗单粒子翻转加固装置,属于航天电子技术领域。该抗单粒子翻转加固装置包括双口RAM模块和仲裁刷新器,所述双口RAM模块包括两套完全独立的端口,分别为第一端口和第二端口,每个端口包括数据线、地址线、读使能控制线和写使能控制线;其中,用户数据通过第一端口写入和读出双口RAM模块;仲裁刷新器在不影响用户访问数据的情况下,通过第二端口将双口RAM模块中存储的用户数据读取出来后再次写入双口RAM,从而刷新双口RAM。本发明解决了在航天器SRAM型FPGA内部BlockRAM抗单粒子翻转加固的难题。
搜索关键词: 一种 航天器 使用 sram fpga 双口 ram 粒子 翻转 加固 装置
【主权项】:
1.一种航天器使用SRAM型FPGA双口RAM抗单粒子翻转加固装置,其特征在于包括双口RAM模块和仲裁刷新器,所述双口RAM模块包括两套完全独立的端口,分别为第一端口和第二端口,每个端口包括数据线、地址线、读使能控制线和写使能控制线;其中,用户数据通过第一端口写入和读出双口RAM模块;仲裁刷新器在不影响用户访问数据的情况下,通过第二端口将双口RAM模块中存储的用户数据读取出来后再次写入双口RAM,从而刷新双口RAM。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京空间飞行器总体设计部,未经北京空间飞行器总体设计部许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910305781.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top