[发明专利]蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含IGZO半导体的方法有效
| 申请号： | 201910306116.0 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110396693B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 汤慧仪;朱翊祯;林诗尧;陈颐丞 | 申请（专利权）人： | 达兴材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 中国台湾台中市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种蚀刻液组合物，用于蚀刻一种含铜或铜合金层及含钼或钼合金层的多层薄膜。此蚀刻液组合物包括：过氧化氢；有机酸或其盐类；具有式(I)的叔氨基醇化合物，R |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 利用 方法 以及 制造 显示装置 igzo 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜或铜合金层及含钼或钼合金层的多层薄膜，包括：过氧化氢；有机酸或其盐类；具有式(I)的叔氨基醇化合物![]()
R1、R2、R3为各自独立的C1～C5直链或支链烷基；含氮杂环化合物；以及水；其中，该蚀刻液组合物的pH值介于3～6之间，且不含氟离子。
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