[发明专利]一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用有效
| 申请号： | 201910306815.5 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110171842B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 韩宏伟;梅安意;李圣 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;H01L31/0216;H01L33/12;H01L33/14;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尹丽媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 价态锡基 氧化物 半导体材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述锡基氧化物为Sn4+xSn2+yO2‑z，Sn的价态为+4价或者+2价，分子式中x>0，y>0，z>0，且满足2x+y＝z；所述锡基氧化物半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；步骤2：将步骤1的产物进行离心分离和去离子水清洗；步骤3：将步骤2的产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。
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