[发明专利]一种三维NAND存储器字线充电方法以及控制电路在审
| 申请号： | 201910308062.1 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111833946A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维NAND存储器字线充电方法以及控制电路。该充电方法在第一时段，控制电压生成电路输出大于字线目标输出电压的第一电压至字线的输入端，使字线电压快速达到或超过目标电压。然后通过电平检测电路获取三维存储器中的字线电压，进行可控快速放电，当三维存储器中的字线电压等于字线目标输出电压时，充放电结束。可见，在字线充电初期，由于字线电压与第一电压的电压差较大，此时充电电流较大，充电速度快，而在充电后期，字线电压已快充达到或超过目标电压，利用放电电流可控特点，保证即使字线电压接近字线目标输出电压时，字线电压仍能快速达到目标电压，从而解决字线电压与目标电压压差过小导致的充电缓慢问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 nand 存储器 充电 方法 以及 控制电路 | ||
【主权项】：
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