[发明专利]集成电路结构、布局图方法和系统有效
| 申请号： | 201910308673.6 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729264B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;赖志明;杨超源;曾健庭;林威呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/535;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了集成电路结构、布局图方法和系统。IC结构包括第一金属层中的第一多个金属区段，位于第一金属层上方的第二金属层中的第二多个金属区段，以及位于第二金属层上方的第三金属层中的第三多个金属区段。第一多个金属区段和第三多个金属区段中的金属区段在第一方向上延伸，以及第二多个金属区段的金属区段在与第一方向垂直的第二方向上延伸。第三多个金属区段的节距小于第二多个金属区段的节距。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 布局 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)结构，包括：/n第一多个金属区段，位于第一金属层中，所述第一多个金属区段的每个金属区段在第一方向上延伸；/n第二多个金属区段，位于所述第一金属层上方的第二金属层中，所述第二多个金属区段中的每个金属区段均在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及/n第三多个金属区段，位于所述第二金属层上方的第三金属层中，所述第三多个金属区段中的每个金属区段均在所述第一方向上延伸，/n其中，所述第三多个金属区段的节距小于所述第二多个金属区段的节距。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910308673.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
