[发明专利]基板处理装置及程序介质在审
申请号: | 201910308983.8 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN110416113A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 林大介;南雅和 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周爽;金玉兰 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置及程序介质,为了不依赖于操作员的经验而能够高速且高精度地使腔室内的二维浓度分布或二维温度分布均匀,所述基板处理装置具备:收纳基板且被供给材料气体的腔室;从腔室的周围的多个地方朝向形成于腔室的周壁的入射窗射出激光的激光射出机构;对从多个地方射出而通过腔室内且从形成于腔室的周壁的射出窗射出的各激光进行检测的激光检测机构;以及控制装置,获取由激光检测机构检测到的各激光的光强度信号,并且基于该光强度信号,计算出腔室内的材料气体的二维浓度分布或腔室内的二维温度分布,基于该二维浓度分布或该二维温度分布控制流体控制设备。 | ||
搜索关键词: | 二维 激光 腔室 基板处理装置 浓度分布 射出 室内 光强度信号 程序介质 温度分布 周壁 温度分布均匀 收纳 材料气体 供给材料 控制流体 控制设备 控制装置 射出机构 入射窗 检测 出腔 窗射 基板 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:腔室,其收纳基板,并且被供给材料气体;材料气体供给路径,其分别与形成于所述腔室的多个供给口连接;流体控制设备,其设置于所述各材料气体供给路径;激光射出机构,其从所述腔室周围的多个地方朝向形成于所述腔室的周壁的入射窗射出激光;激光检测机构,其对从所述多个地方射出而通过所述腔室内且从形成于所述腔室的周壁的射出窗射出的各激光进行检测;以及控制装置,其获取由所述激光检测机构检测到的所述各激光的光强度信号,并且基于该光强度信号,计算出所述腔室内的所述材料气体的二维浓度分布,基于该二维浓度分布控制所述流体控制设备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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