[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910310506.5 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110098113A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王辉;龙俊舟;侯多源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3105;H01L27/11521;H01L27/11568;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供具有栅极结构的半导体衬底，于栅极结构两侧形成侧墙结构；步骤S2，于侧墙外表面沉积一第一薄膜；步骤S3，对第一薄膜的表面执行去电荷工艺；步骤S4，于第一薄膜的表面覆盖一层间介质层。本发明技术方案的有益效果在于：通过优化化学沉积工艺，改变晶圆表面的电荷分布，能够改善等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 栅极结构 半导体制造技术 等离子体损伤 化学沉积工艺 层间介质层 表面覆盖 侧墙结构 电荷分布 晶圆表面 电荷 侧墙 衬底 沉积 半导体 制造 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有栅极结构的半导体衬底，于所述栅极结构两侧形成侧墙结构；于所述侧墙外表面沉积一第一薄膜；对所述第一薄膜的表面执行去电荷工艺；于所述第一薄膜的表面覆盖一层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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