[发明专利]纳米丝束的制备方法及纳米丝束脑电极有效
| 申请号： | 201910310513.5 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110051350B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 赵志龙;翟广志;胡志荣;高建军 | 申请（专利权）人： | 深圳市脑潜能实业发展有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/0478 | 分类号： | A61B5/0478;C22C5/06;C22C1/02;C22F1/14;C25F3/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 任哲夫 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种纳米丝束的制备方法及纳米丝脑电极，该方法采用对共晶母合金做定向凝固处理，再结合选择性腐蚀获得纳米丝束，最后将附有纳米丝束的合金薄片焊接于电极片从而获得纳米丝脑电极。本发明的有益效果在于：提供了一种纳米丝束脑电极的制备方法，该制备工艺基于机械强度高、阻抗小，成本低的Ag‑Sn共晶合金，采用定向凝固结合选择性腐蚀的方法制成，进而可制备脑电信号采集用电极，该工艺简单、结构可控、成品率高，制成的纳米丝具有高长径比，组织形貌可控，具备优异的导电性、低的表面电阻和良好的生物相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 丝束 制备 方法 电极 | ||
【主权项】：
1.一种纳米丝束的制备方法，包括：S1、将至少两种金属按比例混合，通过高温熔炼制成合金块；S2、将合金块加工为合金棒；S3、对合金棒进行定向凝固处理；S4、对合金棒进行切割处理，得到合金薄片；S5、对合金薄片的一面进行打磨处理，得到工作面；S6、在合金薄片的另一面焊接导线；S7、将合金薄片的工作面朝外地镶嵌于树脂中，得到待腐蚀电极；S8、将待腐蚀电极放入电解液中，对待腐蚀电极进行腐蚀处理，得到附有纳米丝束的合金薄片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市脑潜能实业发展有限公司，未经深圳市脑潜能实业发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910310513.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
