[发明专利]一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法有效
| 申请号： | 201910311194.X | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110189929B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨昌平;李慧娟;张木森;梁世恒;王瑞龙;徐玲芳;肖海波 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 430062 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，包括：在芯片电容器上加载恒定电压；在退火炉中升温到预设温度，保持预设时间；将所述芯片电容器置入液氮中冷却1～3分钟；然后将所述芯片电容器取出，在空气中自然升至室温。该方法利用STO芯片电容器绝缘电阻值随负载电压大小及时间不断增加的特点，在加载电压条件下，对芯片电容进行快速热处理。该方法简单易行，在不改变电容器电容值、损耗和电容温度系数的情况下，大幅提高了STO瓷片的绝缘电阻值和一致性，且在去掉外加电压和热条件后，STO芯片电容器绝缘电阻值不会随时间衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 电容器 绝缘 阻值 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)，在芯片电容器上加载恒定电压并加热至预设温度，保持预设时间；步骤(2)，经步骤(1)后将所述芯片电容器置入液氮中冷却1～3min；步骤(3)，然后将所述芯片电容器从液氮中取出，在空气中自然升至室温。
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