[发明专利]一种二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒‑富Sb相变薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(VO2)x(Sb4Te)100‑x，其中0x33；其制备方法步骤如下：采用Sb4Te和VO2作为靶材，使用磁控溅射装置，采用双靶共同溅射方法，以高纯度氩气作为工作气体，采用石英片或者硅片作为衬底材料，对其进行表面沉积；调整VO2直流溅射功率为20W，调整Sb4Te靶的射频功率为15~50W间，在室温下溅射得到VO2‑Sb4Te薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和数据保持力，且在一定范围内通过调节组分进行控制其结晶温度，拥有比较快的结晶速度，热稳定性能较好，拥有较高的晶态与非晶态电阻率。

主权项

1.一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒‑富Sb薄膜材料，其特征在于其化学结构式为(VO₂)_x(Sb₄Te)_100‑x，其中VO₂的原子数百分含量为0<x<33。