[发明专利]遮蔽构件和单晶生长装置有效
| 申请号： | 201910311630.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110424051B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 保坂祥辉;藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 构件 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种遮蔽构件，配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，其特征在于，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。
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