[发明专利]一种光学元件表面微小缺陷二维轮廓的检测方法有效

专利信息
申请号: 201910311988.6 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN110006924B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 王红军;武雄骁;田爱玲;刘卫国;王大森;朱学亮;刘丙才 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: G01N21/958 分类号: G01N21/958
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及光学表面缺陷检测技术领域,具体涉及一种光学元件表面微小缺陷二维轮廓的检测方法。以克服现有技术存在的结构复杂、测量精度低、数据量大和测量时间长的问题。本发明采用的步骤为:1)激光束经过光束整形系统形成会聚光,会聚光经过样品反射后到达CCD靶面,调整样品位置、姿态,使会聚点位于靶面中心且垂直于CCD靶面,反射点到靶面中心的距离为L;2)光束照在样品表面缺陷区域,CCD上得到散射分布图;3)对散射分布图求出中心位置,以中心位置为基准点,沿不同方向取值可以得到一维的光强分布曲线I(w);4)重复步骤三的过程,对于散射图在不同的方向上取值,可以获得缺陷在不同取样方向上的宽度值,由此拟合出缺陷的二维轮廓。
搜索关键词: 一种 光学 元件 表面 微小 缺陷 二维 轮廓 检测 方法
【主权项】:
1.一种光学元件表面微小缺陷二维轮廓的检测方法,其特征在于:所述的检测方法的步骤为:步骤一、激光器发出的激光束经过光束整形系统形成会聚光,会聚光经过样品反射后到达CCD靶面,调整样品的位置和姿态,使会聚光束的会聚点位于CCD的靶面中心且使会聚光轴垂直于CCD靶面,此时反射点到CCD靶面中心的距离为L;步骤二、光束照在样品表面缺陷区域,CCD上得到散射分布图;步骤三、对散射分布图利用重心法求出中心位置,以中心位置为基准点,沿不同方向取值可以得到一维的光强分布曲线I(w),曲线横坐标为该点与基准点之间的距离w,纵坐标为图像的灰度图,对应该点的光强度I由光强分布曲线转换为l(θ),转换为二维矩阵[I,θ],其中I和θ为一维矩阵,元素个数为采样数N取光强I的最大值为Imax,取样间隔为ΔImax,光强I的最小值Imin,取样间隔为ΔImin,设置缺陷在取值方向上的宽度范围为(dmin,dmax),取值间隔为Δd所述缺陷在取样方向上的宽度计算过程如下:Step1:设置入射光波长λ,设置I0=0,Ig=0,Irms0=0,d=dmin;Step2:读取二维矩阵[I,θ];Step3:将d,θ和λ代入得到一维矩阵α;Step4:将α,I0和Ig代入得到一维矩阵I1;Step5:计算均方根值Irms=rms(I1‑I);Step6:如果Irms<Irms0,则Irms0=Irms;d′=d;Step7:Ig=Ig+ΔImin,如果Ig<Imin,则转到Step4Step8:I0=I0+ΔImax,如果I0<Imax,则转到Step4Step9:d<dmind,如果d<dmax,则转到Step3Step10:d′为计算的缺陷在取样方向上的宽度;步骤四、重复步骤三的过程,对于散射图在不同的方向上取值,可以获得缺陷在不同取样方向上的宽度值,由此拟合出缺陷的二维轮廓。
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