[发明专利]一种提升LED芯片漏电良率的方法在审
| 申请号： | 201910312987.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110034215A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吴亦容;陈凯;赵兵;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升LED芯片漏电良率的方法，其包括：提供衬底，形成外延层，MESA刻蚀，涂覆微隙渗透层，沉积钝化层，退火，以使所述微隙渗透层与钝化层相互堆叠，形成漏电阻挡层，清洗去除第二半导体层表面的漏电阻挡层，形成电极，得到低漏电率LED芯片成品。本发明还公开了一种采用上述方法制备的低漏电率LED芯片。本发明在外延层上设置了漏电阻挡层，有效防止了形成透明导电层与电极过程中ITO和电极金属通过外延缺陷进入外延层中造成的LED芯片表面漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 外延层 阻挡层 渗透层 良率 微隙 半导体层表面 退火 沉积钝化层 透明导电层 电极过程 电极金属 漏电问题 外延缺陷 电极 钝化层 衬底 堆叠 刻蚀 去除 涂覆 制备 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种提升LED芯片漏电良率的方法，其特征在于，包括：(1)提供一衬底；(2)在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；(3)对所述外延层进行MESA刻蚀，暴露出第一半导体层；(4)在第二半导体层上涂覆微隙渗透层；(5)在所述微隙渗透层上沉积钝化层；(6)沉积完成后进行退火，以使所述微隙渗透层与钝化层相互堆叠，形成漏电阻挡层；(7)采用清洗剂清洗；去除第二半导体层表面的漏电阻挡层；(8)在所述第一半导体层上形成第一电极；在所述第二半导体层上形成第二电极；得到低漏电率LED芯片成品。
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