[发明专利]可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法

摘要

本发明涉及一种可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法。一种形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si。使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触。包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质。使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si3Nx的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。公开其它实施例，其包含根据本发明的方法实施例制造的构造和独立于制造方法的构造。

主权项

1.一种形成Si₃N_x的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括以下序列：将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si；使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触，其中包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质；以及使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si₃N_x的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。