[发明专利]一种人造非晶翡翠薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910314368.8 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109913837B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴法宇;李瑞武;张政;许超;张瑶瑶;尹航;宫震 | 申请（专利权）人： | 辽宁科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 鞍山嘉讯科技专利事务所(普通合伙) 21224 | 代理人： | 张群 |
| 地址： | 114044 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种人造非晶翡翠薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法，配合不导电的粉末靶，使用射频电源制备，靶材制备：将不导电的粉末和致色元素氧化物混合搅拌，制得混合粉末原料；基体制备：将基体在去离子水中用超声清洗；将混合粉末原料均匀铺满在样品台并压实，基体固定在压实的混合粉末原料上方；磁控溅射：采用机械泵和分子泵抽真空，通氩气，进行磁控溅射，溅射功率为100～500W，溅射时间为1～8h，最终制成非晶翡翠薄膜。优点是：生产工艺和设备简单，不需传统制翡翠所需的高温高压条件，产品结构均匀，颜色可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 人造 翡翠 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种人造非晶翡翠薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法，鉴于不导电的粉末靶，配合使用射频电源制备，具体包括以下步骤：1)靶材制备：将不导电的粉末混合搅拌，混合搅拌5～10分钟，制得混合粉末原料，所述的粉末原料粒度不大于830μm；基体制备：将基体在去离子水中用超声清洗15分钟以上；2)将混合粉末原料均匀铺满在样品台并压实，基体固定在压实的混合粉末原料上方12～18cm；3)磁控溅射：采用机械泵和分子泵抽真空，当达到本底真空度3.0×10‑3Pa时通氩气，氩气流量为5～10sccm，基体偏压为‑80～‑120V，工作气压为1.0×10‑1～2.0×10‑1Pa进行磁控溅射，溅射功率为100～500W，溅射时间为1～8h，最终制成非晶翡翠薄膜。
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