[发明专利]掩膜版的结构及形成方法在审
| 申请号： | 201910314411.0 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109901360A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周娴;晁阳;马星 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种掩膜版的结构及其形成方法，结构包括：基板，所述基板包括透光区和非透光区；位于非透光区表面的挡光层；位于挡光层表面的吸附层，所述挡光层和吸附层暴露出所述透光区。所述结构提升了用掩膜版进行曝光的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 挡光层 掩膜版 非透光区 透光区 吸附层 基板 曝光 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板，所述基板包括透光区和非透光区；位于非透光区表面的挡光层；位于挡光层表面的吸附层，所述挡光层和吸附层暴露出所述透光区。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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