[发明专利]一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法有效
| 申请号： | 201910315825.5 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110148597B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;钱航;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L29/10;H01L29/161;H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体存储器领域，具体公开了一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中应用于三维闪存的应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上。本发明通过对沟道材料的具体组分及相应沉积工艺等进行改进，可解决现有技术中三维闪存存储器其沟道工艺存在的开态电流低，以及堆叠层数增加面临的驱动及器件均一性等难题，本发明利用应变硅技术进行垂直沟道的制备，可以有效提高沟道载流子迁移率并且弥补沟道掺杂引起的库伦相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 三维 闪存 应变 沟道 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于三维闪存的应变硅沟道，其特征在于，所述应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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