[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

本申请提供一种图像传感器及其制作方法，所述的图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区；传输栅结构，位于所述半导体衬底表面；其中，所述半导体衬底以及所述感光元件的部分区域中设置有应力层，所述浮置扩散区也设置有应力层，所述应力层在所述图像传感器的光电荷传输沟道产生张应力。本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在光电二极管PD以及浮置扩散区FD中外延生长应变材料，利用应变材料产生的张应力，并将所述张应力引入光电荷的传输沟道，减少光电荷从光电二极管PD传输到浮置扩散区FD的时间，从而减少图像传感器的曝光时间，使图像传感器产品具有更快的反应速度。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区；传输栅结构，所述传输栅结构位于所述半导体衬底表面；应力层，所述应力层位于半导体衬底内并延伸至所述感光元件的部分区域以及所述浮置扩散区，所述应力层在所述图像传感器的光电荷传输沟道产生张应力。