[发明专利]一种TFET器件

摘要

本发明公开了一种TFET器件，包括衬底、晶化层、漏极、源极和栅极，晶化层设置在衬底的上端面上，晶化层的下端面与衬底的上端面固定连接，漏极设置在晶化层的上端面上，漏极的下端面与晶化层的上端面固定连接，漏极上设置有一个长方体形状的安装槽，源极嵌入安装槽内，源极被漏极三面包围，漏极和源极的三个重合面形成三个隧穿面，栅极设置在漏极表面，优点是在保证栅极、漏极和源极各自独立功能的基础上，极大的增加了隧穿面积，从而增大了导通电流，在保证具有较小的尺寸基础上，导通电流较大，且亚阈效应小，可以有效地解决短沟效应。

主权项

1.一种TFET器件，包括衬底、晶化层、漏极、源极和栅极，所述的晶化层设置在所述的衬底的上端面上，所述的晶化层的下端面与所述的衬底的上端面固定连接，所述的漏极设置在所述的晶化层的上端面上，所述的漏极的下端面与所述的晶化层的上端面固定连接，其特征在于所述的漏极上设置有一个长方体形状的安装槽，所述的安装槽从所述的漏极的左端面开始向右延伸，所述的安装槽沿左右方向的长度小于所述的漏极沿左右方向的长度，所述的安装槽沿上下方向的高度等于所述的漏极沿上下方向的高度，所述的安装槽沿前后方向的长度小于所述的漏极沿前后方向的长度，所述的安装槽沿左右方向的中心线与所述的漏极沿左右方向的中心线所在直线重合，所述的源极设置在所述的安装槽内，且所述的源极的左端面与所述的漏极的左端面位于同一平面，所述的源极的上端面与所述的漏极的上端面位于同一平面，所述的源极的下端面与所述的漏极的下端面位于同一平面，所述的源极沿左右方向的长度等于所述的安装槽沿左右方向的长度，所述的源极沿前后方向的长度等于所述的漏极沿前后方向的长度；所述的栅极包括两个相同的栅介质层和两个相同的栅极材料层，所述的栅介质层和所述的栅极材料层均为长方体形状，将两个所述的栅介质层分别称为第一栅介质层和第二栅介质层，将两个所述的栅极材料层分别称为第一栅极材料层和第二栅极材料层，所述的第一栅介质层设置在所述的漏极的前侧，且所述的第一栅介质层的后端面与所述的漏极的前端面贴合连接，所述的第一栅极材料层设置在所述的第一栅介质层的前侧，且所述的第一栅极材料层的后端面与所述的第一栅介质层的前端面贴合连接，所述的第二栅介质层设置在所述的漏极的后侧，且所述的第二栅介质层的前端面与所述的漏极的后端面贴合连接，所述的第二栅极材料层设置在所述的第二栅介质层的前侧，且所述的第二栅极材料层的后端面与所述的第二栅介质层的前端面贴合连接。