[发明专利]阵列基板制备方法及阵列基板

摘要

本发明提供一种阵列基板制备方法及阵列基板，通过将承载衬底基板的第一电极的温度调节为预设温度，在利用工艺气体刻蚀金属膜层的过程中，小部分光刻胶层融化、剥落，在金属膜层未被光刻胶层覆盖的区域，刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成保护层，保护层可以在刻蚀过程中保证已形成的凹陷部的侧壁不会被继续刻蚀，且在刻蚀过程中，将第一电极的温度保持在预设温度，使得保护层不会快速灰化。这样，在刻蚀完成后，金属走线的线宽大于刻蚀前预留的用于涂覆光刻胶的区域的宽度，因此，可以减小曝光后的光刻胶层的线宽，相应增加金属走线的线间距，从而避免短路的发生，同时刻蚀后的金属走线的线宽也可以满足设计要求。

主权项

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：将反应腔室内的第一电极的温度调节至能够减缓光刻胶灰化速度的预设温度；将依次形成有金属膜层和光刻胶层的衬底基板放置在所述第一电极上，其中，所述衬底基板邻近所述第一电极；利用工艺气体刻蚀所述金属膜层未被所述光刻胶层覆盖的区域，在刻蚀过程中，将所述第一电极的温度保持在所述预设温度，用以在所述金属膜层刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成用于保护所述金属膜层的保护层。