[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201910318847.7 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110034178B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 顾鹏飞;刘凤娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/34 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种薄膜晶体管,包括:有源层和栅极绝缘层,所述有源层包括:层叠设置的第一有源子层和第二有源子层,所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间,所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势。本公开的技术方案还提供了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示装置。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:有源层和栅极绝缘层,所述有源层包括:层叠设置的第一有源子层和第二有源子层,所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间,所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势。
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