[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201910318847.7 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110034178B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 顾鹏飞;刘凤娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层和栅极绝缘层，所述有源层包括：层叠设置的第一有源子层和第二有源子层，所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间，所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势。本公开的技术方案还提供了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层和栅极绝缘层，所述有源层包括：层叠设置的第一有源子层和第二有源子层，所述第二有源子层位于所述栅极绝缘层和所述第一有源子层之间，所述第一有源子层的费米势大于所述第二有源子层的费米势。
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