[发明专利]一种与Si工艺兼容的Nix有效

专利信息
申请号: 201910322519.4 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN111834467B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 张卫;李晓茜;陈金鑫;卢红亮;黄伟 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L21/34
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法,用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极,该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域,包括以下步骤:将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上,然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶;在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口;在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni;将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间;在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极,从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率,优异的热稳定性,在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极,具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 si 工艺 兼容 ni base sub
【主权项】:
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