[发明专利]一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201910322856.3 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110085699A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 洪布双;吴俊旻;张鹏;王涛 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 汤春微 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法，属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域，其目的是解决P型电池在生产制作过程转化效率低的问题，本发明中P型高效电池包括硅片以及衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构；背面电极，所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触；位于所述正面的正面结构。制作上述P型高效电池的制作方法包括制隧穿氧化层；制多晶硅掺杂层；制背面保护层；制绒；扩散；两面清洗；退火；制背面氮化硅；制正面氮化硅；丝网印刷。本发明增强了电池背面整体的钝化效果，降低了电池背面的少子复合，提高了电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 高效电池 接触结构 钝化 氮化硅层 背面电极 转化效率 氮化硅 制作 衬底 电池 晶硅太阳能电池 多晶硅掺杂层 退火 背面保护层 隧穿氧化层 电池背面 钝化效果 少子复合 丝网印刷 相对设置 正面结构 制作过程 硅片 制绒 清洗 扩散 生产 贯穿 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有钝化接触结构的P型高效电池，其特征在于，包括：硅片以及衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构；背面电极，所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触；位于所述正面的正面结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能（成都）有限公司，未经通威太阳能（成都）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910322856.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
