[发明专利]基于SiC-Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器

摘要

一种基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器，由两个基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的单相全桥H₁和H₂，以及一台高频变压器T_hf构成。SiC‑Si混合功率半导体器件由同电压等级的一只小额定电流SiC‑MOSFET和一只大额定电流Si‑IGBT并联组成。本发明双有源桥变换器为移相控制。在SiC‑Si混合功率半导体器件开关中先导通SiC‑MOSFET,实现Si‑IGBT零电压开通，然后关断SiC‑MOSFET，使得Si‑IGBT零电压关断。配合双有源桥变换器的原有软开关范围，通过改变SiC‑Si混合功率半导体器件中SiC‑MOSFET和Si‑IGBT的开通关断时序，可以降低基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器的器件开关损耗及通态损耗，提高变换器效率。

主权项

1.一种基于SiC‑Si混合功率半导体器件开关的双有源桥变换器，其特征在于：所述的双有源桥变换器包括单相全桥H₁、单相全桥H₂和高频变压器T_hf；所述单相全桥H₁由桥臂₁、桥臂₂、滤波电容C₁构成，单相全桥H₂由桥臂3、桥臂4和滤波电容C₂构成；所述高频变压器的原边与所述的桥臂1和桥臂2相连，所述高频变压器的副边与所述的桥臂3和桥臂4相连；所述的桥臂1由SiC‑Si混合功率半导体器件S₁和S₂串联构成，所述的桥臂2由SiC‑Si混合功率半导体器件S₃和S₄串联构成，所述的桥臂3由SiC‑Si混合功率半导体器件S₅和S₆串联构成，所述的桥臂4由SiC‑Si混合功率半导体器件S₇和S₈串联构成；所述高频变压器用于将所述的单相全桥H₁和单相全桥H₂之间的电压等级变换和电气隔离。