[发明专利]一种单晶制绒工艺

摘要

本发明公开了一种单晶制绒工艺，主要涉及单晶制绒领域，包括步骤一：碱溶液清洗抛光；步骤二：超声波清洗；步骤三：臭氧水清洗；步骤四：水洗；步骤五：制绒；步骤六：水洗；步骤七：臭氧水清洗；步骤八：水洗；步骤九：酸溶液清洗；步骤十：水洗；步骤十一：慢拉提过滤；步骤十二：烘干；本发明通过在硅片前后清洗中增加臭氧水清洗和超声清洗工艺加强对硅片的清洗可以有效解决硅片上的白点和外观工艺异常，通过臭氧水清洗代替H2O2/KOH清洗，可以大幅降低生产成本，另根据生产的硅片源质量进行臭氧水清洗、超声波清洗、KOH/H2O2混合溶液多种清洗工艺方式的一键切换，最大限度实现工艺切换灵活性、保证产品质量、提高生产工艺的稳定性。

主权项

1.一种单晶制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：碱溶液清洗抛光，通过机械手提拉将盛放硅片的花篮放入碱溶液槽进行碱抛光去除硅片损伤层；步骤二：超声波清洗，通过超声波清洗槽将所述步骤一残留的碱液进行清洗；步骤三：臭氧水清洗，通过臭氧水清洗槽将硅片表面略大的颗粒杂质进行清洗；步骤四：水洗，通过水洗槽将步骤三残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤五：制绒，通过制绒槽在溶液KOH及添加剂条件下制备硅片表面金字塔陷光结构；步骤六：水洗，通过水洗槽将步骤五中残留的碱液清洗掉；步骤七：臭氧水清洗，去除步骤五制绒时添加剂残留和其它有机脏污；步骤八：水洗，将步骤七残留的臭氧水溶液进行清洗；步骤九：酸溶液清洗，通过溶液HCL、HF清洗硅片表面颗粒及金属杂质；步骤十：水洗，将步骤九中残留的酸溶液进行清洗；步骤十一：慢拉提过滤，通过机械手将花篮慢慢抬起过滤硅片在步骤十中残留的多余水份；步骤十二：烘干，将硅片通过烘干槽、鼓风机结合加热灯管进行烘干。